Alder Lake 12代酷睿处理器正式发布。据媒体报道，预计11月4日21点，性能评测正式解禁，同步上市开卖。
江波龙电子（以下简称“Longsys”）紧跟存储行业发展前沿，为了满足行业客户以及广大用户对产品技术发展的期望，早在今年3月份就已经发布DDR5 U-DIMM内存条产品，并率先进行实际测试。
目前Longsys DDR5内存条顺利开发出包括U-DIMM和SO-DIMM两个形态，其速率定义在4800Mbps 的2 Channel×32bit 全新架构产品原型。相较于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了显著提升，行业预估速率和容量未来分别可达6400Mbps以及64GB，目前公司针对此标准正处于积极研发阶段。
随着支持DDR5标准的PC主机将陆续上市，Longsys旗下行业类存储品牌FORESEE以及国际高端消费类存储品牌雷克沙（Lexar）也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。
Longsys DDR5内存条预计在2022年进入量产阶段，届时也会是PC主机厂商新一轮配置升级潮。Longsys内存条团队将在兼容性测试上加大投入力度，并提供更灵活的产品规格和全方位技术服务，助力DDR5内存条投入到实际应用场景中，以满足行业客户和终端用户的产品需求。
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6 PWM为两个可调输出电压提供高效率和调节功能，范围为0.9V至5.5V，用于为高性能笔记本电脑，PDA和Internet设备中的I / O，芯片组，存储器库供电。同步整流和轻载时的滞后运行为大量不同负载提供了高效率。如果所有负载水平都需要PWM模式，滞后模式可在每个PWM转换器上单独禁用。通过使用MOSFET RDS（ON 前馈斜坡调制，平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。具有180度相位偏移动异相操作减少了输入电流纹波。可通过激活专用引脚，转变成完整的DDR存储器电源解决方案。在DDR模式中，一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能，这对于DDR芯片正确加电至关重要。还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5236监控这些输出，在软启动完成且输出在其设定点的±10％内时生成独立的PGx（电源正常）信号。内置过压保护可防止输出电压超过其设定点的120％。过压条件停止后，会自动恢复正常操作。当此输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75％以下时，欠压保护会闩锁芯片。可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。需要精确电流感测时，可使...
6 PWM为两个输出电压提供高效率的调节，可调范围从0.9v至5.5V，这是高性能计算机，机顶盒以及VGA卡中的电源I / O，芯片组，存储器库所必需的。同步整流有利于在较宽的负载范围内获得高效率。如果使用MOSFETR DS（ON）作为电流感测组件，效率还可进一步提高。斜坡调制，平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。具有180°相位偏移的异相操作减少了输入电流纹波。可通过激活专用引脚，转变成完全的DDR存储器电源解决方案。在DDR模式中，一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能，这对于DDR芯片正确加电至关重要。还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5026监控这些输出，并在软启动完成并输出在其设定点的±10％内时生成独立的PGx（电源正常）信号。压保护可防止输出电压超过其设定点的120％。过压条件停止后，会自动恢复正常操作。当输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75％以下时，欠压保护会闩锁芯片。可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。需要精确电流感测时，可使用外部电流感测电阻。 特性 高灵活性，双同步开关PWM控...
NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4
03是一款源/吸收双倍数据速率（DDR）终端稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，其中空间是关键考虑因素。 NCP51403保持快速瞬态响应，仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51403支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51403还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨：支持2.5 V，3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围：1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒，液晶电视/等离子电视，复印机/打印机 台式电脑，笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
10是一款源/汇双倍数据速率（DDR）终端稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，其中空间是关键考虑因素。 NCP51510保持快速瞬态响应，并且只需要10uF的最小VTT负载电容即可实现输出稳定性。 NCP51510支持远程感应和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51510还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51510采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装，额定绿色和无铅。 特性 支持最高3 A的负载（典型值） ），输出是过流保护 DDRI，DDRII，DDRIII源/接收电流 具有热关断保护功能的集成MOSFET PGOOD输出引脚监视VTT输出调节状态 SS输入引脚用于暂停关闭模式 灵活电压跟踪的VRI输入参考 用于遥感的VTTS输入（开尔文连接） 内置软启动，欠压锁定 应用 DDR内存终端 台式电脑，笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 电信/数据通信，GSM基站 图形处理器核心耗材 机顶盒，LCDTV / PDPTV，复印机/打印机 为芯片组/ RAM提供低至0.5 V的电源 有源/汇总总线终端 电路图、引脚图和封装图...
NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4
00是一款源/汇双倍数据速率（DDR）终端稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，其中空间是关键考虑因素.NCP51400保持快速瞬态响应，仅需要最小的输出电容20 F. NCP51400支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51400还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨：支持2.5 V，3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围：1.1 V至3.5 V 快速负荷瞬态响应 PGOOD - 监视VTT规则的逻辑输出引脚 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 VRI - 参考输入允许灵活的输入跟踪直接或通过电阻分频器 内置软启动，欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑，笔记本电脑和工作站 电信/数据通信，GSM基站 机顶盒，液晶电视/等离子电视，复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器
00是一款源/吸收双倍数据速率（DDR）终端稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，其中空间是关键考虑因素。 NCP51200保持快速瞬态响应，仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51200支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51200还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51200采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装，额定绿色和无铅。 特性 输入电压轨：支持2.5和3.3 V Rails PVCC电压范围：1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载 - 瞬态响应 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT规则 关闭模式的EN-Logic输入引脚 VRI参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 遥感（VTTS） ） 内置软启动，欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终止 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑，笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 机顶盒，液晶电视/ PDP-电视，复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4
01是一款源/吸收双倍数据速率（DDR）终端稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，其中空间是关键考虑因素。 NCP51401保持快速瞬态响应，仅需要20 F的最小输出电容.NCP51401支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51401还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨：支持2.5 V，3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围：1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒，液晶电视/等离子电视，复印机/打印机 台式电脑，笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4
02是一款源/吸收双倍数据速率（DDR）终端稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，其中空间是关键考虑因素。 NCP51402保持快速瞬态响应，仅需要20μF的最小输出电容。 NCP51402支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51402还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨：支持2.5 V，3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围：1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒，液晶电视/等离子电视，复印机/打印机 台式电脑，笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
99是一款线性稳压器，旨在为DDR-2和DDR-3存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够为DDR-2和DDR-3主动提供和吸收+ -2A峰值电流高达+ -1.5A，同时将VTT输出电压调节到+ -10mV。输出端接电压通过连接到PVCC，GND和VREF引脚的两个外部分压电阻调节到跟踪VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A，DDR3至1.5 A（峰值 在1.2 A（峰值）下支持低至600 mV的DDR VTT电压 集成功率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容稳定 FullLoad的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软启动 待机或挂起模式关机 集成散热和CurrentLimit保护 应用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板，笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒，数字电视，打印机 电路图、引脚图和封装图...
98是一款简单，经济高效的高速线性稳压器，专为DDR-I，DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A，或者DDR-II高达-0.5 A，-III，同时将输出电压调节到-30 mV以内。 特性 生成DDR存储器终端电压（VTT） 对于DDRI，DDRII，DDRIII源/接收电流 支持DDRI至1.5 A，DDRII至0.5 A（峰值） 具有热保护功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 关机待机或暂停至RAM（STR）模式 内置软启动 机顶盒，数字电视，打印机 应用 台式电脑，笔记本电脑和工作电台 显卡DDR内存终端 嵌入式系统 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
45是一款线性稳压器，旨在为DDR-II，DDR-III，LPDDR-III和DDR-IV存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够主动提供和吸收±1.8 A峰值电流，同时将输出电压调节到±20 mV以内。输出端接电压通过连接到PVCC，GND和VREF引脚的两个外部分压电阻进行调节，以跟踪VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器，可对线路和负载瞬态提供超快速响应。其他功能包括源/灌电流限制，软启动和片上热关断保护。 特性 对于DDR VTT应用，源/汇电流 支持DDR-II至±1.8 A，DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用仅陶瓷（极低ESR）电容器稳定 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软件-Start 关机待机或挂起模式 集成热量和限流保护 应用 终端产品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板，笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒，数字电视，打印机 电路图、引脚图和封装图...
90是一款简单，经济高效的高速线性稳压器，专为DDR-I，DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A A，或者DDR-II高达-0.5 A，-III，同时将输出电压调节到+ -30 mV。 特性 生成DDR存储器终端电压（VTT） 对于DDRI，DDRII，DDRIII源/汇电流 支持DDRI至1.5 A，DDRII至0.5 A（峰值） 带热保护的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 关机待机或暂停至RAM（STR）模式 内置软启动 应用 台式电脑，笔记本电脑和工作站 嵌入式系统 显卡DDR内存终端 机顶盒，数字电视，打印机 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调节器，适合DDR终止电轨等跟踪应用.V DDQ 输入包括一个可以减少总电路尺寸和元件数量的内部2 ：1电阻分压器。该调节器在7 V到18 V的输入电压范围内工作，并支持4 A的连续负载电流。如果V IN ，P VIN 和P VCC 连接在一起，绕开内部线性调节器，则该器件可以在5V电轨（±10％）下工作。该器件采用飞兆恒定导通时间控制结构，可提供出色的瞬态响应，并保持相对恒定的开关频率。开关频率和吸收过流保护功能可配置，为各种应用提供灵活的解决方案。输出过压和热关断保护功能可以保护器件在故障期间免受损害。热关断功能被激活后，达到正常工作温度时，滞后功能会重新启动器件。 特性 V IN 范围：在7 V到18 V时使用内部线性偏压稳压器 V IN 范围：4.5 V至5.5 V时，V IN / P VIN / P VCC 连接到旁路内部调节器 高效率 连续输出电流：4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 出色的线路和负载瞬态响应 输出电压范围：0.5V至1.5V 可编程频率：200kHz到1.5MHz 可配置软...
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压
信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案
信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器，其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求，而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件，并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整，从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应，从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测，从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式，从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性，并且采用小尺...
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器
信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2，DDR3，DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器 (VDDQ)，此具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式，此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外，此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放电（软关闭）。 它包括具有低侧 MOSFET RDS（接通）感测的可编程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚，3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压 (VDDQ)转换电压范围：3V 至 28V输出...
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压，2A LDO，缓冲参考
信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器
信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压：支持 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压范围：0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支持高阻态（S3 状态）和软停止（S4 和 S5 状态），通过 ...