无锡地方报道，韩国SK 海力士与无锡高新区签署投资合作协议，总投资20亿元，共建集成电路产业园，将充分发挥市场效应，重点围绕SK 海力士上下游产业链，聚集半导体产业集群，以及建设配套设施。目前，SK海力士在无锡累计投资约200亿美元，已成为江苏单体投资规模最大、存储半导体生产技术最先进的外资企业。尤其是SK海力士在无锡的DRAM重要生产基地，不仅扩建DRAM工厂，还与海太半导体持续提高在DRAM封装领域的战略合作，加强优势互补，促进互利共赢。此次项目签约，标志着SK海力士与无锡深化合作迈上新台阶！此次双方共同打造集成电路产业园，携手完善半导体产业链，将进一步强化半导体产业核心竞争力。
几年前，包括 SK Hynix 在内的多家内存大厂，就已经开始了首批 DDR5 存储器新品的研发试验。在 CES 2020 上，SK Hynix 展示了具有 ECC 校验的 64GB DDR5 RDIMM 内存模组。其型号为 HMCA8GR8MJR4C-EB，标称数据传输速率为 4800 MT/s 。该模组包含了 20 颗 H5CNAG4NMJ 存储芯片，以及 IDT P8900-Z2 寄存器时钟驱动器（RCD）。与 2018 年底的 16GB RDIMM 产品相比，两者的标记有些不同。与 DDR4 内存模组一样，DDR5 RDIMM 在 288 个引脚的中间部分略长一些，旨在减少插拔时的阻力。但两者防呆口的设计布局略有不同，以防出现不同平台混插的失误。目前尚不清楚 SK Hynix 是否已开始向服务器平台开发商提供其 DDR5 RDIMM 的样品，但这至少取决于 CPU 制造商的新平台研发推进速度。猜测 2021 年的时候，将迎来首批 DDR5 平台（第一个确认支持 DDR5 内存的平台是基于英特尔 Xeon Sapphire Rapids 的 Aurora 超算）。