和台式机相比，笔记本，特别是轻薄本在扩展能力上堪称孱弱——采用板载内存和仅配备1个M.2插槽的产品越来越多。
更换更大容量的SSD？嗯，这是一个好主意，如今512GB NVMe的SSD只需500元左右。
购买移动硬盘？也不错，特别是采用SSD作为存储介质，使用USB3.1 Gen2的产品（推荐自己购买NVMe硬盘盒+PCIe x 2的SSD），可以实现1000MB/s左右的读取速度。
使用U盘？问题不大，超高速U盘的速度已经可以达到300MB/s，只是150元只能买到128GB左右的容量，除了绝对便携以外，容量性能价格比远不如移动SSD硬盘。
答案很简单，很多轻薄本新品都不再将读卡器作为标配，想使用它还需要单独购买读卡器。对这个话题感兴趣的童鞋可参考《读卡器的生死劫！笔记本是否需要为读卡待命？》这篇文章。
另外一个原因，则是存储卡速度太慢了，主流产品的读取速度只有100MB/s左右，没能拉开和机械硬盘之间的差距。高端产品（UHS-II级别的高速存储卡）理论读取速度最高可达312MB/s，它们与常见SD卡之间的最大差异就是背部的金手指数量有两行。即便如此，存储卡的速度还是不够用。
目前，瑞昱 （Realtek）和群联都已发布支持SD7.x的主控，为这种超高速存储卡的普及奠定了基础。
其中，瑞昱符合SD 7.0规范的主型号为“RTS5261”，它在PCIe 3.0，SD Express格式下可以做到最大128TB容量（注意是TB不是GB哦），持续读写速度最高985MB/s，已然达到了入门款NVMe SSD的级别，秒杀SD UHS-II标准的存储卡前辈。
当笔记本为读卡器引入上述，而SD 7.x标准的存储卡大量上市后，存储卡就=SSD，这种扩容方式无需拆机，无需螺丝固定，即插即用，是不是方便的很呢？
当然，时下就连UHS-II读卡器都没能在笔记本上普及，轻薄本还开始嫌弃这种占用空间的插槽，SD 7.x标准存储卡在轻薄本领域的普及时间还有的等。
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ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机
标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店，为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索，驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放，App Store和Wandoujia。...
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序
，零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格（主要电气参数，产品一般说明，主要特点和市场地位） 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序，它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS
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ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备
于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择： MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言：英语（中国，日本和韩国即将推出） 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS，提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索，驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差（R-TOL）、1024位数字电位计，具有20次可编程存储器
信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差（电阻性能模式）：±1%（最大值） 20次可编程游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围：−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作，支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电，同时确保端到端电阻容差误差小于1%，并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机...
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差（R-Tol）、256位数字电位计，具有20次可编程存储器
信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差：±1%（电阻性能模式） 20次可编程 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 温度系数（分压器模式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列，分别是单通道256/1024位数字电位计1 ，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽，既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电，也可以采用+21 V至+33 V单电源供电，同时端到端电阻容差误差小于1%，并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5291/AD52...
信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置，刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置，刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限：100年（典型值， TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下，可以从微直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下，可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力：100年（典型值，TA = 55°C ）产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下，可以从微直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下，可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大值） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器，用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2，拥有1024阶跃分辨率，保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口，AD5235具有灵活的编程能力，支持多达16种工作模式和调节模式，其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读，同时提供额外的EEMEM1 ，用于存储用户定义信息，如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 µs（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**，提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富，可通过一个标准三线式串行接口进行编程，具有16种工作与调整模式，包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下，可以将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中，并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复，或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保护EE...
28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件，内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0& 1,1） 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC，TSSOP和8焊盘TDFN，UDFN封装 此设备无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件，内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）& （1,1） 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ，TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅，无卤素/ BFR，以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件，内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）启用。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP，SOIC，TSSOP 8引脚和TDFN，UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准...
60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件，内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0& 1,1） 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC，T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...